中國科學院半導體研究所研究員

——閆建昌

閆建昌，菏澤一中1997級校友，2000年高考榮膺山東省理科狀元，進入清華大學電子工程系學習，2004年保送至中國科學院半導體研究所碩博連讀，2009年獲得工學博士學位，隨后在中國科學院半導體研究所工作至今，現為中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。其中，2015至2016年，閆建昌博士作為公派訪問學者在巴黎南大學研究學習。

閆建昌博士長期從事半導體發光材料和器件的研究，在基于氮化鎵（GaN）半導體材料的紫外發光二極管（UV LED）領域取得了突出的研究成果，先后負責了國家863計劃任務、自然科學基金項目、重點研發計劃項目等多項重要國家級科研任務。閆建昌博士率先提出并引領了深紫外LED的納米圖形襯底外延技術，引領了領域研究方向，被氮化物半導體領域權威、2014年度諾貝爾物理學獎得主Hiroshi Amano教授評價為“一項重大突破”(an important breakthrough)。發表學術論文100余篇，獲授權發明專利十余項。擔任第三屆國際紫外材料和器件研討會（IWUMD 2018）組織委員會主席，2020年受國際半導體照明聯盟（ISA）邀請，在第七次金磚國家半導體照明合作工作組會議做大會首個主旨報告。獲得國家自然科學基金優秀青年基金支持，入選 CASA第三代半導體卓越創新青年、中國科學院青年創新促進會優秀會員、山西省“三晉英才”支持計劃高端領軍人才、北京市科技新星計劃，中國光學工程學會高級會員。

2018年閆建昌博士聯合創建山西中科潞安紫外光電科技有限公司，中科潞安年產3000萬顆深紫外LED芯片線建成并投產，實現了深紫外LED核心芯片器件國產化。經中國科學院武漢病毒研究所權威測試，深紫外LED光源在秒級時間對“新冠”病毒殺菌率達到99.99%，率先實現了深紫外LED技術在機場、高鐵、醫院等公共衛生領域示范應用，填補了國內深紫外LED公共衛生安全科技防疫技術空白。中科潞安為2022北京冬奧會提供了基于深紫外LED技術的多種消殺防疫產品，因此，閆建昌博士榮獲科技部表彰。

在菏澤一中三年高中生活和學習給閆建昌博士留下了終生難忘的印象，無論是學到的知識，還是磨礪的品格都使其受益至今。對于母校的感情也愈來愈深，無論走多遠，對母校一直牽掛于心。值此菏澤一中一百二十周年慶之際，祝愿母校生日快樂，蒸蒸日上，繼往開來，再譜華章！